Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
B4N65
WXDH
TO-251
650 V -os
4A
4a 650V N-csatornás javítási mód Power MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2Features
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤2,8Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 14.5NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 3,5PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3APPLICations
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Személyazonosság | Rds (on) (typ) |
650 V -os | 4.0A | 2,4Ω |
4a 650V N-csatornás javítási mód Power MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2Features
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤2,8Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 14.5NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 3,5PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3APPLICations
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Személyazonosság | Rds (on) (typ) |
650 V -os | 4.0A | 2,4Ω |