4A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET B4N65 TO-251

4A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknoloji ile elde edilir. RoHS standardına uygundur. 

2Özellikler 

●Hızlı geçiş 

●ESD geliştirilmiş yeteneği

●Düşük direnç(Rdson≤2.8Ω) 

●Düşük kapı şarjı(Tip:14.5nC) 

●Düşük ters transfer kapasitansları (Tip:3,5pF) 

●%100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

●%100 ΔVDS testi 

3Uygulamalar

●Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

●Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.

• 
  

VDSS	İD	RDS(açık)（TYP)
650V	4.0A	2,4Ω