9A 200V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D630 TO-252B

9A 200V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤0,28Ω)

● Geringe Gate-Ladung (typisch: 12,6 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 8,8 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Hocheffiziente Schaltnetzteile. 

● Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät. 

● USV

● Wechselrichter

VDSS	RDS(ein) (TYP)	AUSWEIS
200V	0,23 Ω	9A