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50A 150V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH50N15 bis 220C

Diese N-Kanal-Verbesserungsmodus-LeistungsmOSFETs. Das Gebrauch von Advanced Graben Process Technology Design bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate -Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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50A 150 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Kanal-Verbesserungsmodus-LeistungsmOSFETs. Das Gebrauch von Advanced Graben Process Technology Design bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate -Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen

● Stromschaltanwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Batteriemanagement 

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen)


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
150 V 18,0 mΩ 50a


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