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50 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH50N15 TO-220C

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus. Das fortschrittliche Design der Grabenprozesstechnologie sorgte für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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50 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus. Das fortschrittliche Design der Grabenprozesstechnologie sorgte für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Hoher Lawinenstrom 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Batteriemanagement 

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
150V 18,0 mΩ 50A


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