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DSG024N10N3
Wxdh
DSG024N10N3
To-220c
100V
240a
100 V/1,7MΩ/240A N-MOSFET
1 Beschreibung
Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● Niedrig des Widerstands
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
Pb-freie Beschichtung/Halogenfrei/ROHS-konform
3 Anwendungen
● Stromschaltanwendungen
● DC-DC-Konverter
● Vollbrückenkontrolle
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
100V | 1,9 Mω | 240a |
100 V/1,7MΩ/240A N-MOSFET
1 Beschreibung
Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● Niedrig des Widerstands
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
Pb-freie Beschichtung/Halogenfrei/ROHS-konform
3 Anwendungen
● Stromschaltanwendungen
● DC-DC-Konverter
● Vollbrückenkontrolle
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
100V | 1,9 Mω | 240a |