100 V/1,7 mΩ/240 A N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C

100 V/1,7 mΩ/240 A N-MOSFET

1 Descriptif 

Ce MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N utilise la technologie avancée Split Gate Trench, qui fournit à la fois un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques

● Faible résistance 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS 

• Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHs

  
  

3 candidatures 

● Applications de commutation de puissance

● Convertisseurs DC-DC

● Contrôle complet du pont

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
100V	1,9 mΩ	240A