ความพร้อม: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
DSG024N10N3
wxdh
DSG024N10N3
ถึง 220C
100V
240A
100V/1.7MΩ/240A N-MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel MOSFET นี้ใช้เทคโนโลยีการแยกเกตแบบแยกขั้นสูงซึ่งให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำในเวลาเดียวกัน ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●ความต้านทานต่ำ
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
มาตรฐานการชุบด้วยการชุบฟรี/ปลอดฮาโลเจน/ROHS
3 แอปพลิเคชัน
●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน
●ตัวแปลง DC-DC
●การควบคุมบริดจ์เต็มรูปแบบ
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
100V | 1.9 MΩ | 240A |
100V/1.7MΩ/240A N-MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel MOSFET นี้ใช้เทคโนโลยีการแยกเกตแบบแยกขั้นสูงซึ่งให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำในเวลาเดียวกัน ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●ความต้านทานต่ำ
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
มาตรฐานการชุบด้วยการชุบฟรี/ปลอดฮาโลเจน/ROHS
3 แอปพลิเคชัน
●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน
●ตัวแปลง DC-DC
●การควบคุมบริดจ์เต็มรูปแบบ
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
100V | 1.9 MΩ | 240A |