Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: itthon » Termékek » IGBT » 600V-650V » 60A 650V szigetelt, szigetelt kapu bipoláris tranzisztor DGC60F65M TO-247

Betöltés

Megosztani:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

60A 650V Árokzáró szigetelt kapu bipoláris tranzisztor DGC60F65M TO-247

60A 650V Trenchstop szigetelt kapu bipoláris tranzisztor
Elérhetőség:
Mennyiség:
  • DGC60F65M

  • WXDH

60A 650V Trenchstop szigetelt kapu bipoláris tranzisztor


1 Jellemzők 

A DongHai szabadalmaztatott Trench dizájnját és fejlett FS technológiáját használva a 650 V FS IGBT kiváló kapcsolási teljesítményt, nagy lavinaállóságot és egyszerű párhuzamos működést kínál. 


2 Jellemzők

● FS Trench Technology, pozitív hőmérsékleti együttható 

● Alacsony telítési feszültség: VCE (sat), típus = 1,9 V @ IC = 60 A és Tj = 25 °C 

● Rendkívül továbbfejlesztett lavinaképesség 


3 Alkalmazások

● Hegesztés 

● UPS 

● Háromszintű inverter

Vces Csomag Ic (Tj = 100 ℃)
650V TO-247 60A 


Előző: 
Következő: 

Termékkategória

Legfrissebb hírek

  • Iratkozz fel a hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket