Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jy is hier: Tuis » Produkte » IGBT » 600V-650V » 60A 650V Trenchstop Geïsoleerde Hek Bipolêre Transistor DGC60F65M TO-247

laai

Deel na:
Facebook-deelknoppie
Twitter-deelknoppie
lyn deel knoppie
wechat-deelknoppie
linkedin-deelknoppie
pinterest-deelknoppie
whatsapp deel knoppie
deel hierdie deelknoppie

60A 650V slootstop geïsoleerde hek bipolêre transistor DGC60F65M TO-247

60A 650V Trenchstop Geïsoleerde Hek Bipolêre Transistor
Beskikbaarheid:
Hoeveelheid:
  • DGC60F65M

  • WXDH

60A 650V Trenchstop Geïsoleerde Hek Bipolêre Transistor


1 Kenmerke 

Deur DongHai se eie slootontwerp en gevorderde FS-tegnologie te gebruik, bied die 650V FS IGBT voortreflike en skakelwerkverrigtings, hoë stortvloed robuustheid, maklike parallelle werking 


2 Kenmerke

● FS Trench Technology, Positiewe temperatuurkoëffisiënt 

● Lae versadigingsspanning: VCE(sat), tip = 1.9V @ IC =60A en Tj = 25°C 

● Uiters verbeterde stortvloedvermoë 


3 Toepassings

● Sweiswerk 

● UPS 

● Drievlak-omskakelaar

Vces Pakket Ic(Tj=100℃)
650V TO-247 60A 


Vorige: 
Volgende: 

Produk Kategorie

Jongste nuus

  • Teken in op ons nuusbrief
  • maak gereed vir die toekoms
    teken aan vir ons nuusbrief om opdaterings reguit in jou inkassie te kry