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60 A 650 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGC60F65M TO-247

60 A 650 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate
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  • DGC60F65M

  • WXDH

60 A 650 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate


1 Funktionen 

Mit dem proprietären Trench-Design und der fortschrittlichen FS-Technologie von DongHai bietet der 650-V-FS-IGBT überlegene Schaltleistungen, hohe Avalanche-Robustheit und einfachen Parallelbetrieb 


2 Funktionen

● FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient 

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ = 1,9 V bei IC = 60 A und Tj = 25 °C 

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 


3 Anwendungen

● Schweißen 

● USV 

● Dreistufiger Wechselrichter

Vces Paket Ic(Tj=100℃)
650V TO-247 60A 


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