Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Koti » Tuotteet » IGBT » 600V-650V » 60A 650V pysähdyksissä eristetty kaksinapainen transistori DGC60F65M TO-247

Ladataan

Jakaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjan jakamispainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

60 A 650 V:n pysähdyseristetty kaksinapainen porttitransistori DGC60F65M TO-247

60A 650V Trenchstop-eristetty kaksinapainen transistori
Saatavuus:
Määrä:
  • DGC60F65M

  • LXDH

60A 650V Trenchstop-eristetty kaksinapainen transistori


1 Ominaisuudet 

Käyttämällä DongHain patentoitua Trench-suunnittelua ja edistyksellistä FS-tekniikkaa, 650 V FS IGBT tarjoaa erinomaisen ja kytkentäsuorituskyvyn, korkean lumivyörykestävyyden ja helpon rinnakkaiskäytön. 


2 Ominaisuudet

● FS Trench Technology, positiivinen lämpötilakerroin 

● Matala kyllästysjännite: VCE (sat), tyyppi = 1,9 V @ IC = 60 A ja Tj = 25 °C 

● Erittäin parannettu lumivyörykyky 


3 Sovellukset

● Hitsaus 

● UPS 

● Kolmitasoinen invertteri

Vces Paketti Ic (Tj = 100 ℃)
650V TO-247 60A 


Edellinen: 
Seuraava: 

tuotekategoria

Uusimmat uutiset

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Tilaa