Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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Transistor bipolar DGC60F65M TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 60A 650V

Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop 60A 650V
Disponibilidad:
Cantidad:
  • DGC60F65M

  • WXDH

Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop de 60A 650V


1 Características 

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo. 


2 características

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ = 1,9 V @ IC = 60 A y Tj = 25 °C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 


3 aplicaciones

● Soldadura 

● SAI 

● Inversor de tres niveles

Vces Paquete Ic(Tj=100℃)
650V A-247 60A 


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