未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nahajate se tukaj: domov » Izdelki » IGBT » 1200V-1700V » Bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati 40A 1200V G40N120D TO-247

nalaganje

Skupna raba z:
facebook gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na Twitterju
gumb za skupno rabo linije
gumb za skupno rabo v wechatu
Linkedin gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na pinterestu
gumb za skupno rabo WhatsApp
deli ta gumb za skupno rabo

40A 1200V bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati G40N120D TO-247

Ti bipolarni tranzistorji z izoliranimi vrati so uporabljali napredno zasnovo tehnologije Trench in Fieldstop, zagotavljajo odličen Vcesat in hitrost preklapljanja ter nizko napolnjenost vrat. Kar je v skladu s standardom RoHS.
Dobavljivost:
Količina:
Povprašajte Dodaj v košarico

Bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati 40A 1200V


1 Lastnosti 

Ti bipolarni tranzistorji z izoliranimi vrati so uporabljali napredno zasnovo tehnologije Trench in Fieldstop, zagotavljajo odličen VCEsat in hitrost preklapljanja ter nizko napolnjenost vrat. Kar je v skladu s standardom RoHS. 


2 Lastnosti 

● Nizek VCEs 

● Nizek naboj vrat 

● Odlična hitrost preklapljanja 

● Enostavna vzporedna zmogljivost zaradi pozitivnega temperaturnega koeficienta v VCEsat

● Tsc≥10µs 

● Antiparalelna dioda za hitro obnovitev polnega toka 


3 Aplikacije 

● Varjenje 

● UPS 

● Tristopenjski inverter


Vces Paket Ic (Tj=100 ℃)
1200V TO-247-3L 40A 


prenos G40N120D - DHB.pdf

Prejšnja: 
Naprej: 
IGBT IGBT enojni Zapora jarkov IGBT 40A1200V IGBT 40A1200V Trenchstop IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se na naše glasilo
  • pripravite se na prihodnost,
    prijavite se na naše glasilo, da boste prejemali posodobitve neposredno v svoj nabiralnik
    Predloži
Copyright © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com