40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G40N120D TO-247

40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor

1 Mga Tampok 

Ang Insulated Gate Bipolar Transistor na ito ay gumamit ng advanced na trench at Fieldstop na disenyo ng teknolohiya, na nagbigay ng mahusay na VCEsat at bilis ng paglipat, mababang singil sa gate. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS. 

2 Mga Tampok 

● Mababang VCEsat 

● Mababang gate charge 

● Napakahusay na bilis ng paglipat 

● Madaling parallel na kakayahan dahil sa positive temperature Coefficient sa VCEsat

● Tsc≥10µs 

● Mabilis na pagbawi buong kasalukuyang anti-parallel diode 

3 Aplikasyon 

● Welding 

● UPS 

● Three-leve Inverter

Vces	Package	Ic(Tj=100℃)
1200V	TO-247-3L	40A