คุณอยู่ที่นี่: บ้าน » สินค้า » ไอจีบีที » 1200V-1700V » 40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G40N120D TO-247

40A 1200V Trenchstop ฉนวนเกตไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ G40N120D TO-247

แบ่งปันไปที่:

40A 1200V Trenchstop ฉนวนเกตไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ G40N120D TO-247

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์เกทแบบหุ้มฉนวนเหล่านี้ใช้ร่องลึกขั้นสูงและการออกแบบเทคโนโลยี Fieldstop ซึ่งให้ Vcesat และความเร็วในการเปลี่ยนที่ยอดเยี่ยม และมีประจุเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS

มีจำหน่าย:

จำนวน:



สอบถาม เพิ่มลงตะกร้า

แบบอย่าง:
G40N120D
ยี่ห้อ:
WXDH
แบบอย่าง:
G40N120D
บรรจุุภัณฑ์:
ถึง-247
เอกสารข้อมูล:
G40N120D - เอกสารข้อมูลสินค้า.pdf
วี:
1200V
ตอบ:
40เอ

40A 1200V ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เกตแบบมีฉนวน Trenchstop

1 คุณสมบัติ

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์เกทหุ้มฉนวนเหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกและ Fieldstop ขั้นสูง ให้ VCEsat และความเร็วในการเปลี่ยนที่ยอดเยี่ยม และมีประจุเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS

2 คุณสมบัติ

● VCEsat ต่ำ

● ค่าเกตต่ำ

● ความเร็วในการสลับที่ดีเยี่ยม

● ความสามารถในการขนานได้ง่ายเนื่องจากค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิเป็นบวกใน VCEsat

● Tsc≥10µs

● การกู้คืนไดโอดต่อต้านขนานเต็มกระแสอย่างรวดเร็ว

3 การใช้งาน

● การเชื่อม

● ยูพีเอส

● อินเวอร์เตอร์สามระดับ