Diodo de recuperação rápida 60A 1200V
1 Descrição
Diodos ultrarrápidos de 60A, 1200V Eles têm uma baixa queda de tensão direta e são de construção epitaxial plana, passivada com nitreto de silício, implantada com íons. Esses dispositivos destinam-se ao uso como diodos de direcionamento/fixação de energia e retificadores em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua baixa carga armazenada e recuperação ultrarrápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de potência no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
alta eficiência Baixa tensão direta,
alta capacidade de corrente Alta capacidade de surto
Tempos de recuperação super rápidos
alta tensão
3 aplicações
| VBR |
VF(MÁX) |
SE(AV) |
| 1200 V |
3,3 V |
60A |