Diodo de recuperación rápida 60A 1200V
1 Descripción
Diodos ultrarrápidos de 60 A y 1200 V Tienen una baja caída de voltaje directo y son de construcción epitaxial plana, pasivada con nitruro de silicio, implantada con iones. Estos dispositivos están diseñados para usarse como diodos de dirección/sujeción de energía y rectificadores en una variedad de fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de conmutación de energía. Su baja carga almacenada y recuperación ultrarrápida con características de recuperación suave minimizan el timbre y el ruido eléctrico en muchos circuitos de conmutación de energía, reduciendo así la pérdida de energía en el transistor de conmutación.
2 características
Baja pérdida de energía,
alta eficiencia Bajo voltaje directo,
alta capacidad de corriente Alta capacidad de sobretensión
Tiempos de recuperación súper rápidos
alto voltaje
3 aplicaciones
| VBR |
FV(MÁX.) |
SI(AV) |
| 1200V |
3,3 V |
60A |