Diodabilidade: | |
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Quantidade: | |
MUR4060BCT
Wxdh
40A 600V Diodo de recuperação rápida
1 Descrição
40A, diodos ultra-rápidos de 600V, eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial de nitreto de silício, compatível com nitreto de silício, implantado em íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação.
2 recursos
tensão de alta eficiência de baixa eficiência,
alta capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
3 aplicações
Circuitos de comutação de energia
Objetivo geral
Vbr | VF (único) (max) | Se (av) (único) |
600V | 1.5V | 20a |
40A 600V Diodo de recuperação rápida
1 Descrição
40A, diodos ultra-rápidos de 600V, eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial de nitreto de silício, compatível com nitreto de silício, implantado em íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação.
2 recursos
tensão de alta eficiência de baixa eficiência,
alta capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
3 aplicações
Circuitos de comutação de energia
Objetivo geral
Vbr | VF (único) (max) | Se (av) (único) |
600V | 1.5V | 20a |