40A 600V အမြန်ပြန်လည်ရယူရေး diode
1 ဖော်ပြချက်
40A၊ 600V Ultrafast Diodes ၎င်းတို့တွင် ရှေ့သို့ ဗို့အားကျဆင်းမှု နည်းပါးပြီး planar၊ ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် passivated၊ ion-implanted၊ epitaxial တည်ဆောက်မှုတို့ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။ ဤစက်ပစ္စည်းများသည် switching power supply နှင့် အခြားသော power switching applications အမျိုးမျိုးတွင် စွမ်းအင်စတီယာရင်/ကလစ်ဆွဲဒိုင်အိုဒများနှင့် rectifiers များအဖြစ် အသုံးပြုရန်အတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။ ၎င်းတို့၏ သိုလှောင်မှုနည်းသော အားသွင်းမှုနှင့် အလွန်လျင်မြန်သော ပြန်လည်ရယူမှုသည် ပျော့ပျောင်းသော ပြန်လည်ထူထောင်ရေးလက္ခဏာများနှင့်အတူ ပါဝါပြောင်းသည့် ဆားကစ်များစွာတွင် အသံမြည်ခြင်းနှင့် လျှပ်စစ်ဆူညံသံများကို လျှော့ချပေးသောကြောင့် switching transistor တွင် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးသည်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
high efficiency Low forward voltage၊
high current capability မြင့်မားသော surge capacity
အလွန်လျင်မြန်သော ပြန်လည်ရယူချိန်များ
3 လျှောက်လွှာများ
| VBR |
VF(တစ်ခုတည်း)(MAX) |
IF(AV)(တစ်ခုတည်း) |
| 600V |
1.5V |
20A |