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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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20A 200V Diodo de recuperação Fast Mur2020CT TO-220C

20A, 200V Diodos ultra-rápidos Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada por íons, implantada por íons.
Disponibilidade:
Quantidade:

20A 200V Diodo de recuperação rápida


1 Descrição

20A, 200V Diodos ultra-rápidos Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada por íons, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retifificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação


2 recursos

 Baixa perda de energia, 

 Tensão de alta eficiência de alta eficiência, 

 Capacidade de alta capacidade de alta capacidade 

 Tempos de recuperação super rápidos 

 Alta tensão 


3 aplicações 

 Switching Power Supply

Circuits Circuitos de comutação de energia

 Objetivo geral


Vbr VF (único) (max) Se (av) (único)
200V 0,98V 10a



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