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Quantidade: | |
MUR2020CT
Wxdh
TO-220C
200V
20a
20A 200V Diodo de recuperação rápida
1 Descrição
20A, 200V Diodos ultra-rápidos Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada por íons, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retifificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
Tensão de alta eficiência de alta eficiência,
Capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
Alta tensão
3 aplicações
Switching Power Supply
Circuits Circuitos de comutação de energia
Objetivo geral
Vbr | VF (único) (max) | Se (av) (único) |
200V | 0,98V | 10a |
20A 200V Diodo de recuperação rápida
1 Descrição
20A, 200V Diodos ultra-rápidos Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada por íons, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retifificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
Tensão de alta eficiência de alta eficiência,
Capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
Alta tensão
3 aplicações
Switching Power Supply
Circuits Circuitos de comutação de energia
Objetivo geral
Vbr | VF (único) (max) | Se (av) (único) |
200V | 0,98V | 10a |