ရရှိနိုင်: | |
---|---|
အရေအတွက်: | |
Mur2020CT
wxdh
to-220c
200v
20a
20A 200v မြန်မြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေး diode
1 ဖော်ပြချက်
20AD, 200V ultrafast diodes တွင်သူတို့တွင်ရှေ့သို့ voltage drop နှင့် planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, implanted, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့် RectifiFifiies တို့အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်ဆည်းပေးသည့်ပါဝါခလုတ်များနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်များအဆိုများတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့နှင့်အတူ Ultrafast Recovery တို့ကပါဝါ switching circuit များတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျော့နည်းစေသည်
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအားနိမ့်နိမ့်ခြင်း,
မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နိမ့် forward voltage,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
Super Fast Recovery Times
High ဗို့အား
3
power power supply switching
ပါဝါပြောင်းခြင်း circuits
အထွေထွေရည်ရွယ်ချက်
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
200v | 0.98V | 105a |
20A 200v မြန်မြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေး diode
1 ဖော်ပြချက်
20AD, 200V ultrafast diodes တွင်သူတို့တွင်ရှေ့သို့ voltage drop နှင့် planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, implanted, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့် RectifiFifiies တို့အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်ဆည်းပေးသည့်ပါဝါခလုတ်များနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်များအဆိုများတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့နှင့်အတူ Ultrafast Recovery တို့ကပါဝါ switching circuit များတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျော့နည်းစေသည်
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအားနိမ့်နိမ့်ခြင်း,
မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နိမ့် forward voltage,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
Super Fast Recovery Times
High ဗို့အား
3
power power supply switching
ပါဝါပြောင်းခြင်း circuits
အထွေထွေရည်ရွယ်ချက်
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
200v | 0.98V | 105a |