tilgjengelighet: | |
---|---|
Mengde: | |
F7N60
Wxdh
F7N60
TO-220F
600V
7a
7A 600V N-kanals forbedringsmodus MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET-er, oppnås av den selvjusterte plane teknologien som reduserer ledningstapet, forbedrer bytteytelsen og forbedrer snøskredenergien. Som stemmer overens med ROHS -standarden. TO-220F gir isolasjonsspenning vurdert til 2000V RMS fra alle tre terminalene til ekstern kjøler. TO-220F-serien er i samsvar med UL-standarder (File Ref: E252906).
2 funksjoner
● Rask bytte
● ESD forbedret muligheten
● Lav på motstand (Rdson≤1,25Ω)
● Lav portladning (TYP: 24NC)
● Lav omvendt overføringskapasitans (TYP: 5,5PF)
● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS -test
3 søknader
● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet.
● Strømbryterkrets for elektronballast og adapter.
VDSS | Rds (på) (typ) | Id |
600V | 1 Ω | 7a |
7A 600V N-kanals forbedringsmodus MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET-er, oppnås av den selvjusterte plane teknologien som reduserer ledningstapet, forbedrer bytteytelsen og forbedrer snøskredenergien. Som stemmer overens med ROHS -standarden. TO-220F gir isolasjonsspenning vurdert til 2000V RMS fra alle tre terminalene til ekstern kjøler. TO-220F-serien er i samsvar med UL-standarder (File Ref: E252906).
2 funksjoner
● Rask bytte
● ESD forbedret muligheten
● Lav på motstand (Rdson≤1,25Ω)
● Lav portladning (TYP: 24NC)
● Lav omvendt overføringskapasitans (TYP: 5,5PF)
● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS -test
3 søknader
● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet.
● Strømbryterkrets for elektronballast og adapter.
VDSS | Rds (på) (typ) | Id |
600V | 1 Ω | 7a |