7A 600V N-ալիքի բարելավման ռեժիմ MOSFET F7N60 TO-220F

7A 600V N-ալիքի բարելավման ռեժիմ Power Mosfet

1 Նկարագրություն

Այս N- հեռուստաընկերությունը բարելավված VDMosfets, ստացվում է ինքնահավասարեցած պլանի տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է անցկացման կորուստը, բարելավում է փոխարկումը կատարումը եւ բարձրացնում է ավալանշի էներգիան: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին: Մինչեւ 220F- ը տրամադրում է մեկուսացման լարման, 2000V RMS բոլոր երեք տերմինալներից մինչեւ արտաքին heartsink: To-220F շարքը համապատասխանում է UL ստանդարտներին (FILE REF. E252906): 

2 առանձնահատկություններ

● արագ անցում

● ESD բարելավված կարողություն 

● ցածր դիմադրություն (RDSON≤1.25ω) 

● ցածր դարպասի լիցքավորում (մուտք: 24NC) 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տպագիր, 5.5PF) 

● 100% միայնակ զարկերակային ավալանշի էներգիայի թեստ 

● 100% δvds թեստ 

3 դիմում

● Օգտագործվում է տարբեր էլեկտրական անջատման միացում համակարգի մանրանկարչության եւ ավելի բարձր արդյունավետության համար:

● Էլեկտրոնային բալաստի եւ ադապտերի էլեկտրական անջատիչ միացում: