hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bent hier: Thuis » Producten » MOSFET » 400V-1500V N-MOS » 7A 600V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET F7N60 TO-220F

laden

Deel met:
knop voor delen op Facebook
Twitter-deelknop
knop voor lijn delen
knop voor het delen van wechat
linkedin deelknop
knop voor het delen van Pinterest
WhatsApp-knop voor delen
deel deze deelknop

7A 600V N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET F7N60 TO-220F

7A 600V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET
Beschikbaarheid:
Aantal:

7A 600V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET


1 Beschrijving

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie vergroot. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. TO-220F levert een isolatiespanning van 2000 V RMS van alle drie de aansluitingen naar het externe koellichaam. TO-220F-serie voldoet aan de UL-normen (dossierreferentie: E252906). 


2 Kenmerken

● Snel schakelen

● ESD verbeterde mogelijkheden 

● Lage weerstand (Rdson≤1.25Ω) 

● Lage poortlading (Typ: 24nC) 

● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteit (typ: 5,5 pF) 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 


3 toepassingen

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.

● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.


VDSS  RDS(aan)(TYP) Identiteitskaart 
600V 1 Ohm 7A



Vorig: 
Volgende: 
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen