በር
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
እዚህ ነህ ቤት ፡ » ምርቶች » MOSFET » 400V-1500V N MOS 7A 600V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET F7N60 TO-220F

በመጫን ላይ

አጋራ ለ፡
የፌስቡክ ማጋሪያ ቁልፍ
የትዊተር ማጋሪያ ቁልፍ
የመስመር ማጋሪያ አዝራር
wechat ማጋሪያ አዝራር
የlinkedin ማጋሪያ ቁልፍ
pinterest ማጋራት አዝራር
WhatsApp ማጋሪያ አዝራር
ይህን የማጋሪያ ቁልፍ አጋራ

7A 600V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET F7N60 TO-220F

7A 600V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ የኃይል MOSFET
ተገኝነት
፡ ብዛት
  • F7N60

  • WXDH

  • F7N60

  • TO-220F

  • 英文版F7N60技术规格书.pdf

  • 600 ቪ

  • 7A

7A 600V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET


1 መግለጫ

እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ የተገኘው በራስ ተሰልፎ በሚሠራው የፕላን ቴክኖሎጂ አማካኝነት የመምራት ኪሳራን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የበረዶ ላይ ጉልበትን ይጨምራል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል። TO-220F ከሦስቱም ተርሚናሎች ወደ ውጫዊ ሙቀት በ 2000V RMS የተገመተ የኢንሱሌሽን ቮልቴጅ ያቀርባል። TO-220F ተከታታይ የ UL ደረጃዎችን ያከብራሉ (ፋይል ማጣቀሻ፡E252906)። 


2 ባህሪያት

● ፈጣን መቀያየር

● ESD ችሎታን አሻሽሏል። 

● የመቋቋም ችሎታ ዝቅተኛ (Rdson≤1.25Ω) 

● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 24nC) 

● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 5.5pF) 

● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ 

● 100% ΔVDS ፈተና 


3 መተግበሪያዎች

● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት አነስተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል።

● የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።


ቪዲኤስኤስ  RDS(በርቷል)(TYP) መታወቂያ 
600 ቪ 1 Ω 7A



ቀዳሚ፡ 
ቀጣይ፡- 
  • ለጋዜጣችን ይመዝገቡ
  • ለወደፊት ተዘጋጁ
    ለጋዜጣችን ይመዝገቡ በቀጥታ ወደ የገቢ መልእክት ሳጥንዎ ያግኙ