未命名(1)(8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bevindt zich hier: Thuis » Producten » DIODE » 40V-200V SBD
Model:
Pakket:
V:
A:
GESELECTEERDE PRODUCTLIJNEN:

40V-200V SBD

Afbeelding Model Pakket V A Gegevensblad Details Aanvraag Voeg toe aan winkelwagen
20A 200V SchottkyBarrierDiode MBR20200CT TO-220M MBR20200CT TO-220M 200V 20A 英文版MBR20200CT 技规格书REV1.1.pdf
30A 60V SchottkyBarrierDiode MBR3060CT TO-220M MBR3060CT TO-220M 60V 30A 英文版MBR3060CT 技规格书REV1.1(1).pdf
30A 100V Schottky-barrièrediode TO-220M MBR30100CT TO-220M 100V 30A 英文版MBR30100CT 技规格书REV1.0.pdf
10A 150V SchottkyBarrierDiode MBR10150CT TO-220M MBR10150CT TO-220M 150V 10A MBR10150CT-standaard.pdf
SchottkyBarrierDiode 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT TO-220M 200V 10A REV-1.1.pdf
30A 200V SchottkyBarrierDiode HMBR30200CT TO-220C HMBR30200CT TO-220C 200V 30A 英文版HMBR30200CT 技规格书.pdf
10A 100V SchottkyBarrierDiode MBR10100CT TO-252B MBR10100CT TO-252B 100V 10A 英文版MBR10100CT 技规格书.pdf
10A 200V SchottkyBarrierDiode MBRE10200CT TO-263 MBRE10200CT TO-263 200V 10A 英文版MBRE10200CT 规格书REV-1.1.pdf
30A 45V SchottkyBarrierDiode MBR3045CT TO-3P MBR3045CT TO-3PN 45V 30A
NPN epitaxiale siliciumtransistor TIP122 TO-220M-pakket TIP122 TO-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122 技术规格书.pdf
NPN epitaxiale siliciumtransistor TIP122 TO-220M-pakket TIP127 TO-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127 技术规格书.pdf
40A 100V SchottkyBarrierDiode MBR40100CT TO-220C MBR40100CT TO-220C 100V 40A 英文版MBR40100CT 技规格书REV1.0.pdf
SchottkyBarrierDiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100V 60A 英文版MBR60100BCT 技规格书.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100V 40A 英文版MBRF40100CT 技规格书REV1.0(1).pdf

Productvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie door leadong.com