hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bevindt zich hier: Thuis » Producten » IGBT-MODULE » PIM » 400A 650V Halve brugmodule IGBTModule DGD400H65M2T EconoDUAL3-PAKKET

laden

Deel met:
knop voor delen op Facebook
Twitter-deelknop
knop voor lijn delen
knop voor het delen van wechat
linkedin deelknop
knop voor het delen van Pinterest
WhatsApp-knop voor delen
deel deze deelknop

400A 650V Halve brugmodule IGBTModule DGD400H65M2T EconoDUAL3-PAKKET

Deze bipolaire transistor met geïsoleerde poort maakte gebruik van een geavanceerd geul- en veldstoptechnologieontwerp, zorgde voor uitstekende VCEsat- en schakelsnelheid en lage poortlading. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
Beschikbaarheid:
Aantal:

400A 650V Halve brugmodule

1 Beschrijving 

Deze bipolaire transistor met geïsoleerde poort maakte gebruik van een geavanceerd geul- en veldstoptechnologieontwerp, zorgde voor uitstekende VCEsat- en schakelsnelheid en lage poortlading. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.


2 Kenmerken 

● FS Trench-technologie, positieve temperatuurcoëfficiënt 

● Lage verzadigingsspanning: VCE(sat), typ = 1,45V @ IC =400A en Tj = 25°C 

● Extreem verbeterd lawinevermogen


3 toepassingen 

  •  Lassen 

  •  UPS 

  •  Drie-niveau-omvormer 

  • AC- en DC-servoversterker



  • Type VCE Ik VCEsat,Tj=25℃ Tjop Pakket
    DGD400H65M2T 650V 400A (Tj=100℃) 1,45 V (typisch) 175℃ EconoDUAL3
Vorig: 
Volgende: 
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen