400A 650V တစ်ဝက်တံတား မော်ဂျူး IGBTModule DGD400H65M2T EconoDUAL3 ပက်ကေ့ဂျ်

400A 650V တစ်ဝက်တံတား module

1 ဖော်ပြချက် 

ဤ Insulated Gate Bipolar Transistor သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော VCEsat နှင့် switching speed ၊ low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနှင့် Fieldstop နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု 

● FS Trench နည်းပညာ၊ အပြုသဘောဆောင်သောအပူချိန်ကိန်းဂဏန်း 

● ပြည့်ဝသောဗို့အား- VCE(sat), typ = 1.45V @ IC = 400A နှင့် Tj = 25°C 

● နှင်းပြိုကျမှုစွမ်းရည်ကို အလွန်မြှင့်တင်ထားသည်။

3 လျှောက်လွှာများ 

•  ဂဟေဆော်ခြင်း။ 

•  ယူပီအက်စ် 

•  သုံးအဆင့် Inverter 

• AC နှင့် DC servo drive အသံချဲ့စက်

• 
  

  
  

  ရိုက်ပါ။	VCE	အိုင်စီ	VCEsat၊Tj=25 ℃	Tjop	အထုပ်
  DGD400H65M2T	650V	400A (Tj=100 ℃)	1.45V (အမျိုးအစား)	175 ℃	EconoDUAL3