400A 650V โมดูลสะพานครึ่ง IGBTModule DGD400H65M2T ECONODUAL3

400A 650V Half Bridge โมดูล

1 คำอธิบาย 

ทรานซิสเตอร์สองขั้วเกทที่หุ้มฉนวนเหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีขั้นสูงและการออกแบบเทคโนโลยีฟิลด์สต็อปให้ VCESAT ที่ยอดเยี่ยมและความเร็วในการสลับ, ชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS

2 คุณสมบัติ 

●เทคโนโลยีสนามเพลาะ FS ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิบวก 

●แรงดันความอิ่มตัวต่ำ: VCE (SAT), typ = 1.45V @ IC = 400A และ TJ = 25 ° C 

●ความสามารถในการหิมะถล่มที่เพิ่มขึ้นอย่างมาก

3 แอปพลิเคชัน 

•  การเชื่อม 

•  อัพ 

•  อินเวอร์เตอร์สาม Leve 

• เครื่องขยายเสียง AC และ DC Servo Drive

• 
  

  
  

  พิมพ์	VCE	ไอซี	vcesat, tj = 25 ℃	TJOP	บรรจุุภัณฑ์
  DGD400H65M2T	650V	400A (TJ = 100 ℃)	1.45V (TYP)	175 ℃	Econodual3