ເຈົ້າຢູ່ນີ້: ບ້ານ » ຜະລິດຕະພັນ » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50T65D TO-3PN

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar G50T65D TO-3PN

ແບ່ງປັນໄປທີ່:

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar G50T65D TO-3PN

ການນໍາໃຊ້ການອອກແບບ Trench ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ DongHai ແລະກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເທກໂນໂລຍີ FS, 650V FS IGBT ສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ເຫນືອກວ່າແລະສະຫຼັບ, ການ avalanche ສູງ ruggedness ການດໍາເນີນງານຂະຫນານງ່າຍ

ມີໃຫ້:

ປະລິມານ:



ສອບຖາມ ເພີ່ມໃສ່ກະຕ່າ

ຕົວແບບ:
G50T65D
ຍີ່ຫໍ້:
WXDH
ຊຸດ:
TO-3PN
ແຜ່ນຂໍ້ມູນ:
G50T65D 技术规格书.pdf
V:
650V
A:
50A

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar

1 ຄຳອະທິບາຍ

ການນໍາໃຊ້ການອອກແບບ Trench ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ DongHai ແລະກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເຕັກໂນໂລຢີ FS, 650V FS IGBT ສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ເຫນືອກວ່າແລະສະຫຼັບ, ຫິມະຫິມະສູງ ruggedness ການດໍາເນີນງານຂະຫນານງ່າຍ.

2 ຄຸນສົມບັດ

● FS Trench Technology, ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມບວກ

● ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຕໍ່າ: VCE(sat), typ = 2.0V @ IC = 50A ແລະ Tj = 25°C

● ຄວາມສາມາດຂອງຫິມະຫິມະຕົກທີ່ດີຂຶ້ນ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ການເຊື່ອມໂລຫະ

● UPS

● Inverter ສາມລະດັບ

Vces	Vcesat,Tj=25℃	ໄອຄ
650V	2.0V	50A

ທີ່ຜ່ານມາ:

ຕໍ່ໄປ:

IGBT

ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
ກຽມພ້ອມສໍາລັບອະນາຄົດ
ທີ່ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮັບການອັບເດດໂດຍກົງກັບ inbox ຂອງທ່ານ

ສົ່ງ

ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາ
ກ່ຽວກັບ LETOR
ລິ້ງເພີ່ມເຕີມ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ

ອີເມວ:

sales@wxdh.com .cn

ຕັ້ງໂຕະ:

+86-510-85307789
ເຄືອຂ່າຍສັງຄົມ