未命名(1)(8) (1)
ປະຕູ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
ເຈົ້າຢູ່ນີ້: ບ້ານ » ຜະລິດຕະພັນ » MOSFET » 400V-1500V N MOS
ຮູບແບບ:
ຊຸດ:
V:
A:
ສາຍຜະລິດຕະພັນທີ່ເລືອກ:

400V-1500V N MOS

ຮູບພາບ ແບບ ຊຸດຕົວ V A ສານ ລາຍລະອຽດເອກະ ສອບຖາມ ເພີ່ມໃສ່ກະຕ່າ
8N60/F8N60
840/F840/I840/ E840/B840/D840
10N60/F10N60/E10N60
13A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 13N90 TO-3PN 13N90 TO-3PN 900V 13 ກ 英文版13N90技术规格书.pdf
2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 TO-252B 600V 2A 英文版D2N60技术规格书.pdf
9A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 9N90B TO-247 9N90B ເຖິງ-247 900V 9A 英文版9N90B技术规格书REV1.0(1).pdf
DHD10N65
10N65/F10N65/I10N65
12N65/F12N65
F20N65
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
F4N70/B4N70/D4N70
F7N70/B7N70/D7N70
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700V 10A 英文版D10N70技术规格书REV1.0.pdf
F20N50/20N50B
23N50D
F8N70
8N65/F8N65
4A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F4N65 TO-220F F4ງານເຊັ່ນ: ໂມດູນ Trenchstop IGBT ທີ່ຈະອອກແບບດ້ວຍຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື, ແລະຄວາມທົນທານ. ຄວາມລົ້ມເຫຼວໃນອົງປະກອບເຫຼົ່ານີ້ອາດຈະເຮັດໃຫ້ລະບົບຢຸດເຮັດວຽກ, ອັນຕະລາຍດ້ານຄວາມປອດໄພ, ຫຼືແມ້ກະທັ້ງຄວາມເສຍຫາຍຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕໍ່ພາກສ່ວນອື່ນໆຂອງລະບົບ. ດັ່ງນັ້ນ, ມັນເປັນສິ່ງ ສຳ ຄັນທີ່ໂມດູນ Trenchstop IGBT ໄດ້ຖືກອອກແບບເພື່ອຕ້ານທານກັບສິ່ງທ້າທາຍເຫຼົ່ານີ້ແລະປະຕິບັດຢ່າງເຊື່ອຖືໄດ້ຕະຫຼອດຊີວິດຂອງການປະຕິບັດງານ. TO-220F 650V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf

ວິດີໂອຜະລິດຕະພັນ

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
  • ກຽມພ້ອມສໍາລັບອະນາຄົດ
    ທີ່ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮັບການອັບເດດໂດຍກົງກັບ inbox ຂອງທ່ານ
    ສົ່ງ
ສະຫງວນລິຂະສິດ © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd ເຕັກໂນໂລຊີໂດຍ leadong.com