2N65/F2N65/B2N65/D2N65

2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ

ເຫຼົ່ານີ້ຊິລິໂຄນ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີ planar ຕົນເອງສອດຄ່ອງເຊິ່ງຫຼຸດຜ່ອນການ.

ການ​ສູນ​ເສຍ conduction​, ປັບ​ປຸງ​ການ​ສະ​ຫຼັບ​ປະ​ສິດ​ທິ​ພາບ​ແລະ​ເສີມ​ຂະ​ຫຍາຍ​ການ​ພະ​ລັງ​ງານ avalanche ໄດ້​. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.

2 ຄຸນສົມບັດ

● ສະຫຼັບໄວ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤5Ω)

● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 9nC)

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປະເພດ: 6pF)

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche ກໍາມະຈອນດຽວ

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆເພື່ອການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ.

● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງອະແດບເຕີ ແລະເຄື່ອງສາກ.

VDSS	RDS(ເປີດ)(TYP)	ID
650V	4.2Ω	2A