Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza SiC a canale N 40A 1200V TO-247-4

MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 A 1200 V
Disponibilità:
Quantità:
  • DCCF075M120G2C

  • WXDH

MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 A 1200 V


1 Descrizione 

Questa famiglia di prodotti offre prestazioni all'avanguardia.È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità. 


2 Caratteristiche 

● Maggiore efficienza del sistema 

● Requisiti di raffreddamento ridotti 

● Maggiore densità di potenza 

● Maggiore frequenza di commutazione del sistema 


3 applicazioni 

● Alimentatori. 

● Convertitori CC/CC ad alta tensione. 

● Azionamenti a motore. 

● Alimentatori a commutazione 

● Applicazioni di potenza pulsata


VDSS RDS(acceso)(TIPO) ID
1200 V 75 mΩ 41A


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