Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET 40 A 1200 V TO-247-4

40 A 1200 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
Verfügbarkeit:
Menge:
  • DCCF075M120G2C

  • WXDH

40 A 1200 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung.Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 


2 Funktionen 

● Höhere Systemeffizienz 

● Reduzierter Kühlbedarf 

● Erhöhte Leistungsdichte 

● Erhöhte Systemschalthäufigkeit 


3 Anwendungen 

● Netzteile. 

● Hochspannungs-DC/DC-Wandler. 

● Motorantriebe. 

● Schaltnetzteile 

● Anwendungen mit gepulster Leistung


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
1200V 75 mΩ 41A


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