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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET N TO-220C da 150 V/7,5 mΩ/115 A

DSG092N15N3A
Disponibilità:
Quantità:
  • DSG092N15N3A

  • WXDH

  • TO-220C

  • 150 V

  • 115A

MOSFET N da 150 V/7,5 mΩ/115 A


1 Descrizione 

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche 

• Qualificato AEC-Q101 

• RDS(on) con resistenza estremamente bassa 

• Temperatura di esercizio 175°C 

• Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS

• Protezione contro le valanghe al 100%. 

• Applicazioni di test ΔVDS al 100%.

3 Applicazione

• Controllo e azionamento del motore

• Carica/scarica per il sistema di gestione della batteria

• Raddrizzatore sincrono per SMPS 

• Applicazioni automobilistiche


VDSS RDS(acceso)(TIPO) ID Pacchetto
150 V 7,5 mΩ 115A TO-220C
150 V 7,8 mΩ 115A TO-263


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