MOSFET N da 150 V/7,5 mΩ/115 A
1 Descrizione
Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
• Qualificato AEC-Q101
• RDS(on) con resistenza estremamente bassa
• Temperatura di esercizio 175°C
• Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS
• Protezione contro le valanghe al 100%.
• Applicazioni di test ΔVDS al 100%.
3 Applicazione
• Controllo e azionamento del motore
• Carica/scarica per il sistema di gestione della batteria
• Raddrizzatore sincrono per SMPS
• Applicazioni automobilistiche
| VDSS |
RDS(acceso)(TIPO) |
ID |
Pacchetto |
| 150 V |
7,5 mΩ |
115A |
TO-220C |
| 150 V |
7,8 mΩ |
115A |
TO-263 |