150 V/7,5 mΩ/115 A N-MOSFET
1 Beschreibung
Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
• AEC-Q101-qualifiziert
• Extrem niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)
• 175°C Betriebstemperatur
• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform
• 100 % lawinensicher
• 100 % ΔVDS-Testanwendungen
3 Anwendung
• Motorsteuerung und Antrieb
• Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem
• Synchrongleichrichter für SMPS
• Automobilanwendungen
| VDSS |
RDS(ein)(TYP) |
AUSWEIS |
Paket |
| 150V |
7,5 mΩ |
115A |
TO-220C |
| 150V |
7,8 mΩ |
115A |
TO-263 |