未命名 (1) (8) (1)
kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon »» Termékek » IGBT » » 1200V-1700V » » Trenchstop szigetelt kapu bipoláris tranzisztor 40A 1200V G40N120D TO-247

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

Szigetelt szigetelt kapu bipoláris tranzisztor 40A 1200V G40N120D TO-247

Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztor fejlett árok- és mezőstop technológiai kialakítást használt, kiváló vCesat és váltási sebességet nyújtott, alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
Elérhetőség:
mennyiség:
Érdeklődik Adja hozzá a kosárhoz

40A 1200V Trenchstop szigetelt kapu bipoláris tranzisztor


1 Jellemzők 

Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztor fejlett árok- és mezőstop technológiai kialakítást használt, kiváló vCesat és váltási sebességet nyújtott, alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

● Alacsony vCesat 

● Alacsony kapu töltés 

● Kiváló váltási sebesség 

● Könnyű párhuzamos képesség a vCesat pozitív hőmérsékleti együtthatója miatt

● TSC ≥10µs 

● Gyors visszanyerés A teljes áramú párhuzamellenes dióda 


3 alkalmazás 

● Hegesztés 

● UPS 

● Három szintű frekvenciaváltó


VECS Csomag IC (TJ = 100 ℃)
1200 V -os TO-247-3L 40A 


letöltés G40N120D - DHB.PDF

Előző: 
Következő: 
IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába
    Benyújt
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology készítette Leadong.com