未命名 (1) (8) (1)
pintu gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » IGBT » 1200V-1700V » Trenchstop Gate Bipolar Transistor 40A 1200V G40N120D TO-247

Memuatkan

Kongsi ke:
butang perkongsian facebook
butang perkongsian twitter
butang perkongsian talian
butang perkongsian WeChat
butang perkongsian LinkedIn
butang perkongsian Pinterest
butang perkongsian WhatsApp
butang perkongsian sharethis

Trenchstop Gate Bipolar Transistor 40A 1200V G40N120D TO-247

Transistor bipolar gerbang terlindung ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan lapangan yang maju, dengan syarat kelajuan vCesat dan kelajuan yang sangat baik, caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
Ketersediaan:
Kuantiti:
Bertanya Tambah ke bakul

40A 1200V Trenchstop Gate bertebat Bipolar Transistor


1 ciri 

Transistor bipolar gerbang terlindung ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan lapangan yang maju, dengan syarat kelajuan vCesat dan kelajuan yang sangat baik, caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS. 


2 ciri 

● vcesat rendah 

● Caj pintu rendah rendah 

● Kelajuan menukar yang sangat baik 

● Keupayaan paralel mudah disebabkan oleh pekali suhu positif dalam vCesat

● TSC≥10μs 

● Pemulihan cepat diod anti-selari semasa 


3 aplikasi 

● Kimpalan 

● UPS 

● Inverter tiga-leve


Vces Pakej IC (TJ = 100 ℃)
1200v TO-247-3L 40a 


muat turun G40N120D - DHB.PDF

Sebelumnya: 
Seterusnya: 
IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Daftar untuk surat berita kami
  • Bersedia untuk
    mendaftar masa depan untuk buletin kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda
    Hantar
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com