Gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Narito ka: Home » Mga produkto » IGBT » 1200V-1700V » Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 40A 1200V G40N120D TO-247

Naglo -load

Ibahagi sa:
Button sa Pagbabahagi ng Facebook
Button sa Pagbabahagi ng Twitter
Button sa Pagbabahagi ng Linya
Button ng Pagbabahagi ng WeChat
Button sa Pagbabahagi ng LinkedIn
Button ng Pagbabahagi ng Pinterest
pindutan ng pagbabahagi ng whatsapp
Button ng Pagbabahagi ng Sharethis

Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 40A 1200V G40N120D TO-247

Ang mga insulated gate bipolar transistor na ginamit ang advanced na trench at fieldstop na disenyo ng teknolohiya, na ibinigay ng mahusay na vcesat at bilis ng paglipat, mababang singil sa gate. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS.
Availability:
Dami:

40A 1200V trenchstop insulated gate bipolar transistor


1 Mga Tampok 

Ang mga insulated gate bipolar transistor na ginamit ang advanced na trench at fieldstop na disenyo ng teknolohiya, na ibinigay ng mahusay na vcesat at bilis ng paglipat, mababang singil sa gate. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS. 


2 Mga Tampok 

● Mababang vcesat 

● Mababang singil ng gate 

● Napakahusay na bilis ng paglipat 

● Madaling kahanay na kakayahan dahil sa positibong koepisyent ng temperatura sa vcesat

● TSC≥10µs 

● Mabilis na pagbawi sa buong kasalukuyang anti-parallel diode 


3 mga aplikasyon 

● Welding 

● UPS 

● Tatlong-leve inverter


Vces Package Ic (tj = 100 ℃)
1200V TO-247-3L 40A 


Nakaraan: 
Susunod: 
  • Mag -sign up para sa aming newsletter
  • Maghanda para sa hinaharap
    na pag -sign up para sa aming newsletter upang makakuha ng mga update nang diretso sa iyong inbox