Diode barrière SiC Schottky 10A 1200V

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Modèle:
DCGT10D120G4
Marque:
WXDH

Description du produit

1 Description La famille de produits de la série SiC offre des performances de pointe.Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis.

2 Caractéristiques

⚫ haute tension

⚫ Courant de récupération inverse nul

⚫ Tension de récupération zéro

⚫ Coefficient de température positif sur VF

⚫ Température de jonction de fonctionnement de 175 °C

3 candidatures

⚫ Alimentations à découpage

⚫ Correction du facteur de puissance

⚫ Entraînement moteur, onduleur photovoltaïque, centrale éolienne

VBRM	QC	SI (TC≤135℃)
1200V	25nC	13A

Diode barrière SiC Schottky 10A 1200V

catégorie de produit

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