Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » ΔΙΩΔΗ » 650V-1200V SIC » SiC Schottky Barrier Diode 10A 1200V

φόρτωση

Μοιράστε σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

SiC Schottky Barrier Diode 10A 1200V

SiC Schottky Barrier Diode 10A 1200V
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:
  • DCGT10D120G4

  • WXDH

SiC Schottky Barrier Diode 10A 1200V


1 Περιγραφή Η οικογένεια προϊόντων της σειράς SiC προσφέρει κορυφαίες επιδόσεις.Είναι σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής συχνότητας όπου απαιτείται υψηλή απόδοση και υψηλή αξιοπιστία. 


2 Χαρακτηριστικά 

⚫ υψηλή τάση 

⚫ Μηδενικό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης 

⚫ Μηδενική τάση ανάκτησης προς τα εμπρός 

⚫ Θετικός συντελεστής θερμοκρασίας σε VF 

⚫ 175°C Θερμοκρασία διασταύρωσης λειτουργίας 


3 Εφαρμογές 

⚫ Τροφοδοτικά εναλλαγής λειτουργίας 

⚫ Διόρθωση συντελεστή ισχύος 

⚫ Κινητήρας, Φ/Β μετατροπέας, Αιολικός Σταθμός


VBRM QC  IF (TC≤135℃)
1200V 25nC 13Α


Προηγούμενος: 
Επόμενο: 

κατηγορία προιόντος

Τελευταία νέα

  • Εγγραφείτε στο newsletter μας
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας
    Εγγραφείτε