Diodo de barrera Schottky de SiC 10A 1200V

Diodo de barrera Schottky SiC 10A 1200V

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Modelo:
DCGT10D120G4
Marca:
WXDH

Descripción del Producto

1 Descripción La familia de productos de la serie SiC ofrece un rendimiento de última generación.Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad.

2 características

⚫ alto voltaje

⚫ Corriente de recuperación inversa cero

⚫ Voltaje de recuperación directa cero

⚫ Coeficiente de temperatura positivo en VF

⚫ Temperatura de unión de funcionamiento de 175 °C

3 aplicaciones

⚫ Fuentes de alimentación de modo conmutado

⚫ Corrección del factor de potencia

⚫ Accionamiento por motor, inversor fotovoltaico, central eólica

VBM	control de calidad	SI（TC≤135℃）
1200V	25 nC	13A

Diodo de barrera Schottky SiC 10A 1200V

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