88A 60V N-kanavainen Enhancement Mode Power MOSFET
1 Kuvaus
Näissä N-kanavan tehostustilan tehomosfeteissa käytettiin edistynyttä kaivaustekniikkaa, mikä tarjosi erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.
2 Ominaisuudet
● Alhainen vastus
● Matala portin lataus
● Nopea vaihto
● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit
● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti
● 100 % ΔVDS -testi
3 Sovellukset
● Virrankytkentäsovellukset
● DC-DC-muuntimet
● Täysi siltaohjaus
| VDSS |
RDS(päällä)(TYP) |
ID |
| 68V |
6,3 mΩ |
88A |