MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 80V DH80N08 TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 80 A y 80 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características 

● Cambio rápido

● Alta corriente de avalancha 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Convertidores CC-CC 

● Fuente de alimentación del SAI

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
80V	6,5 mΩ	80A