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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.

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N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET für die Leistungsschaltung

Das N-Kanal-Verbesserungsmodus-LeistungsmOSFET für die Leistungsschaltung bietet eine überlegene Leistung in Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen. Mithilfe der fortschrittlichen Grabentechnologie bietet dieses MOSFET niedrige On-Resistenz (RDS), minimale Gate-Ladung und schnelle Schaltfunktionen. Es ist eine wesentliche Komponente in Stromschaltsystemen und bietet eine optimierte Leistung für DC-DC-Wandler und Steuerungsschaltungen in Vollbrücke. Mit Merkmalen wie einer geringen Rückübertragungskapazität und einer 100% igen Single-Puls-Avalanche-Energiedie-Tests erfüllt diese MOSFET die ROHS-Konformität und eignet sich ideal für leistungsstärkere Designs in der industriellen Elektronik.
Verfügbarkeit:
Menge:

Produktdetails


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
68 V 6,0 mΩ 100a


Produktfunktionen

Dieses N-Kanal-MOSFET ist so konstruiert, dass sie mit Präzision und Effizienz mit Stromschaltung umgehen. Zu den wichtigsten Funktionen gehören:

- Niedriges On-Resistenz (RDS (ON)): Gewährleistet eine minimale Wärmeableitung und verbessert die Energieeffizienz bei Leistungsanwendungen.

-Ladung mit niedrigem Gate: Minimiert das Schaltverlust und macht das Gerät hocheffizient, insbesondere in schnellen Umgebungen wie DC-DC-Konvertern.

-Schnelles Schalten: Dieses MOSFET ist ideal für Hochgeschwindigkeitsanwendungen mit schnellen Abbaus- und Ausschaltenszeiten.

- Breitbetriebsspeicher: Mit Hochspannungen und Strömen können Sie gleichzeitig einen stabilen Betrieb aufrechterhalten.


Anwendbare Szenarien

Der N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ist ideal für die Verwendung in:

- Stromschaltanwendungen: häufig zum Schalten von Netzteilen verwendet, bei denen die Energieeffizienz von entscheidender Bedeutung ist.

- DC-DC-Wandler: Hilft bei der Umwandlung von Spannungsniveaus in elektronischen Schaltkreisen, um eine schnelle Reaktion und einen geringen Energieverlust zu gewährleisten.

- Volle Brückensteuerungsschaltungen: Perfekt für Motorsteuerungssysteme, bei denen schnelles Umschalten und Effizienz erforderlich sind, um verschiedene Lasten zu steuern.

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Produktvorteile

- Energieeffizienz: Die niedrigen RDS (ON) und die Gate-Ladung reduzieren die Stromverluste erheblich, was sie ideal für energieempfindliche Anwendungen macht.

- Hohe Haltbarkeit: Mit fortschrittlichen Grabentechnologie und Materialien bietet dieses MOSFET auch unter harten Bedingungen zuverlässige Leistung, um eine langfristige Verwendung in industriellen Umgebungen zu gewährleisten.

- Vielseitigkeit: Ob in kleinen Elektronik oder größerer Industriegeräte eingesetzt wird, passt sich dieses MOSFET gut an unterschiedliche Anforderungen an und macht es zu einer vielseitigen Wahl für Ingenieure, die an Stromversorgungssystemen arbeiten.

- ROHS -Konformität: Dies stellt sicher, dass das MOSFET umweltfreundlich ist und Vorschriften für gefährliche Substanzen einhält und es für die Verwendung in verschiedenen Anwendungen sicher macht.


Durch die Einbeziehung dieses N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET für die Einschaltung in Ihre Designs können Sie eine überlegene Schaltleistung, Effizienz und Zuverlässigkeit erreichen, insbesondere für anspruchsvolle Stromverwaltungsanwendungen in modernen elektronischen Systemen.


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