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N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 100 A 85 V

N-Kanal-Enhancement-Mode-Leistungs-MOSFET 100 A 85 V
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  • DH050N85 / DH050N85E

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N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 100 A 85 V


1 Beschreibung Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen 

● Wechselrichter-Managementsystem 

● Elektrowerkzeuge

● Automobilelektronik

VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
85V 5mΩ 100A


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