โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel พาวเวอร์ MOSFET 100A 85V

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel พาวเวอร์ MOSFET 100A 85V

1 คำอธิบาย คำอธิบาย 

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ

● ความต้านทานต่ำ

● ค่าเกตต่ำ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน 

● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน 

● ระบบการจัดการอินเวอร์เตอร์ 

● เครื่องมือไฟฟ้า

● อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับยานยนต์

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
85V	5mΩ	100A