88 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese Leistungs-Mosfets im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzen ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Geringer Widerstand
● Niedrige Gate-Ladung
● Schnelles Umschalten
● Geringe Rückübertragungskapazitäten
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Leistungsschaltanwendungen
● DC-DC-Wandler
● Vollständige Brückenkontrolle
| VDSS |
RDS(ein)(TYP) |
AUSWEIS |
| 68V |
6,3 mΩ |
88A |