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-6A -100V P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P18V SOP-8

-6A -100V P-Kanal Enhancement Mode Leistungs-MOSFET
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-6A -100V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Diese Leistungs-Mosfets im P-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen 

● Wechselrichter-Managementsystem 

● Elektrowerkzeuge 

● Automobilelektronik


VDSS RDS(ein) (TYP) AUSWEIS 
-100V 160 mΩ -6A



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