-6A -100V P-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH100P18V SOP-8

-6A -100V P-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa kraftmofetter i P-kanals förbättringsläge använde avancerad trench-teknikdesign, gav utmärkt Rdson och låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Lågt motstånd 

● Låg grindladdning 

● Snabb växling 

● Låga omvända överföringskapacitanser 

● 100 % enkelpuls lavinenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer

● Strömväxlingsapplikationer 

● Inverter management system 

● Elverktyg 

● Bilelektronik

VDSS	RDS(på) (TYP)	ID
-100V	160 mΩ	-6A